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    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容及阻容元件

    時(shí)間:2011-02-17 12:53來(lái)源:未知 作者:admin 點(diǎn)擊:
    一、晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實(shí)際晶閘管(可控硅)電路中,常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò ),該網(wǎng)絡(luò )常稱(chēng)為RC阻容吸收電路。

      我們知道,晶閘管(可控硅)有一個(gè)重要特性參數-斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結溫和門(mén)極斷路條件下,使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉入通態(tài)的最低電壓上升率。若電壓上升率過(guò)大,超過(guò)了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值,則會(huì )在無(wú)門(mén)極信號的情況下開(kāi)通。即使此時(shí)加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽(yáng)極峰值電壓,也可能發(fā)生這種情況。因為晶閘管(可控硅)可以看作是由三個(gè)PN結組成。

      在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下,因各層相距很近,其J2結結面相當于一個(gè)電容C0。當晶閘管(可控硅)陽(yáng)極電壓變化時(shí),便會(huì )有充電電流流過(guò)電容C0,并通過(guò)J3結,這個(gè)電流起了門(mén)極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關(guān)斷時(shí),陽(yáng)極電壓上升速度太快,則C0的充電電流越大,就有可能造成門(mén)極在沒(méi)有觸發(fā)信號的情況下,晶閘管(可控硅)誤導通現象,即常說(shuō)的硬開(kāi)通,這是不允許的。因此,對加到晶閘管(可控硅)上的陽(yáng)極電壓上升率應有一定的限制。

      為了限制電路電壓上升率過(guò)大,確保晶閘管(可控硅)安全運行,常在晶閘管(可控硅)兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò ),利用電容兩端電壓不能突變的特性來(lái)限制電壓上升率。因為電路總是存在電感的(變壓器漏感或負載電感),所以與電容C串聯(lián)電阻R可起阻尼作用,它可以防止R、L、C電路在過(guò)渡過(guò)程中,因振蕩在電容器兩端出現的過(guò)電壓損壞晶閘管(可控硅)。同時(shí),避免電容器通過(guò)晶閘管(可控硅)放電電流過(guò)大,造成過(guò)電流而損壞晶閘管(可控硅)。

      由于晶閘管(可控硅)過(guò)流過(guò)壓能力很差,如果不采取可靠的保護措施是不能正常工作的。RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò )就是常用的保護方法之一。

      

     

    二、整流晶閘管(可控硅)阻容吸收元件的選擇

      電容的選擇:

      C=(2.5-5)×10的負8次方×If
      If=0.367Id
      Id-直流電流值
      如果整流側采用500A的晶閘管(可控硅)
      可以計算C=(2.5-5)×10的負8次方×500=1.25-2.5mF
      選用2.5mF,1kv 的電容器

      電阻的選擇:

      R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56
      選擇10歐
      PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的負12次方×R)/2
      Pfv=2u(1.5-2.0)
      u=三相電壓的有效值

    阻容吸收回路在實(shí)際應用中,RC的時(shí)間常數一般情況下取1~10毫秒。
            小功率負載通常取2毫秒左右,R=220歐姆/1W,C=0.01微法/400~630V/。
            大功率負載通常取10毫秒,R=10歐姆/10W,C=1微法/630~1000V。

    R的選。盒」β蔬x金屬膜或RX21線(xiàn)繞或水泥電阻;大功率選RX21線(xiàn)繞或水泥電阻。
            C的選。篊BB系列相應耐壓的無(wú)極性電容器。
            看保護對象來(lái)區分:接觸器線(xiàn)圈的阻尼吸收和小于10A電流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范疇;接觸器觸點(diǎn)和大于10A以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范疇。

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